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陈院士（第1页）

一

组会在周三下午两点。

沈默到的时候，会议室里已经坐满了人。物理系和材料系的教授、博士后、博士生，大大小小二十多号人，把本来就不大的会议室塞得满满当当。

沈默在最后一排找了个角落坐下，手里拿着一份打印好的PPT——六页，图多字少，是他熬了两个通宵的成果。

周教授坐在第一排，正和旁边的人低声说着什么。看到沈默进来，朝他点了点头，意思是“准备好了就行”。

两点整，会议室的门被推开。

一个白发老人走了进来。

穿着灰色夹克，拄着拐杖，步履有些蹒跚，但腰板挺得笔直。他的脸上皱纹很深，但一双眼睛清亮有神，像是能看穿一切。

陈院士。

在场所有人不约而同地站起来。

“坐坐坐，都坐。”陈院士摆摆手，声音不大，但中气十足。他在最前面的椅子上坐下，把手里的拐杖靠在桌边，然后环顾了一圈会议室。

目光扫过沈默的时候，停了一下。

沈默觉得那道目光像是开了X光，把自己从里到外都照了一遍。

“开始吧。”陈院士说。

周教授站起来，简单介绍了一下组会的内容，然后点名：“沈默，你先来。”

沈默站起来，走到前面，把U盘插进电脑。

PPT打开，第一页只有一个标题：

《基于缺陷工程的石墨烯低温生长技术研究进展》

他深吸一口气，开口。

“各位老师，同学们，我汇报的是最近一周在石墨烯CVD生长方向上的一些实验进展。”

“传统CVD法生长单层石墨烯的温度通常在1000°C左右，高能耗、高成本，是产业化的主要瓶颈。我们尝试通过衬底缺陷工程和碳源优化的组合策略，降低生长温度。”

他按下翻页键，PPT切换到第二页——一张对比图。

左边是四组样品的拉曼光谱叠图，右边是四张原子力显微镜图像。

“我们设计了四组对照实验：纯铜1000°C作为基准组，纯铜850°C作为低温对照，氧化铝铜850°C作为缺陷工程组，氧化铝铜750°C作为低温极限组。”

“结果显示——”

他用激光笔指着光谱图上的特征峰。

“纯铜850°C无法得到高质量单层石墨烯，IDIG比值超过0。3，且出现明显的多层成核。”

“氧化铝铜850°C，质量接近基准组，IDIG低于0。05，单层覆盖率95%以上。”

“氧化铝铜750°C，质量有所下降，但IDIG仍控制在0。12以下，单层覆盖率约90%。”

会议室里安静了几秒。

然后开始有人交头接耳。

沈默能听到一些关键词：“750°C”“90%覆盖率”“真的假的”“重复过了吗”。

他没有停下来，继续翻页。

第三页是重复性数据——七次重复实验的结果统计表，平均值、标准差、置信区间，该有的都有。

第四页是机理分析——原子力显微镜图像显示氧化铝衬底表面的台阶边缘诱导成核，结合XRD和XPS数据，初步解释了缺陷工程的微观机制。

第五页是下一步计划——脉冲偏压PECVD方案，目标是将生长温度降至600°C以下。

第六页——结论。

沈默讲完最后一句，退到一边，等着提问。