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暗流（第1页）

一

接下来的一周，沈默的生活进入了某种疯狂的状态。

每天早上六点到实验室，晚上十二点离开，中间除了吃饭和上厕所，所有的时间都泡在CVD设备和表征仪器前。

林晚晴比他来得晚一些，但走得比他更晚——有好几次，沈默十二点离开的时候，她还坐在电脑前整理数据，桌上的咖啡杯已经空了三个。

王大锤在第三天终于忍不住了，拎着一袋水果闯进实验室，把苹果、香蕉、橙子一字排开摆在沈默的实验台上，然后用一种近乎控诉的语气说：

“老大，你看看你，脸色跟鬼一样。你再这么熬下去，石墨烯没量产，你先量产了——骨灰盒。”

“谢谢关心。”沈默头都没抬，手里还在调CVD设备的参数。

“我不是关心你，我是关心嫂子。你再这么下去，嫂子还没过门就成了寡妇。”

沈默的手顿了一下，终于抬起头：“什么嫂子？”

“林教授啊。”王大锤一脸理所当然，“你俩这一周出双入对的，实验室里孤男寡女，干柴烈火——”

“出去。”

“得嘞。苹果记得吃，香蕉别放太久，橙子——”

“出去。”

王大锤溜了。

林晚晴从隔壁房间探出头来，手里拿着一份打印出来的拉曼光谱图：“王大锤又来了？”

“嗯。”沈默把苹果收进抽屉，“说了一堆废话。”

“他说什么了？”

“没什么。”

林晚晴看了他一眼，没追问，把手里的光谱图递过来：“第四组样品的重复实验做完了，750°C的数据稳定在IDIG=0。11±0。02，覆盖率91%±3%。七次重复，六次成功，一次失败。”

“失败的原因分析了吗？”

“衬底表面污染。说明工艺对洁净度的要求很高，需要在超净环境下操作。”

沈默接过光谱图，扫了一眼数据，点了点头。

一周的时间，他和林晚晴完成了三十二组对照实验，系统验证了“缺陷工程+碳源优化”的技术路线。750°C的生长温度已经稳定可重复，实验成功率从最初的50%提升到了85%以上。

这在科研上已经达到了“方法学验证”的标准——可以写论文了。

但沈默要的不只是论文。

“林老师，下周我想开始600°C的实验。”

林晚晴正在喝咖啡，听到这句话，杯子停在半空中：“600°C？你知道600°C意味着什么吗？”

“意味着碳源裂解效率降低一个数量级，意味着碳原子迁移速度下降80%，意味着成核密度失控的风险增加十倍。”沈默一口气说完，“但这些都有解决方案。”

“什么方案？”

“等离子体辅助。”

林晚晴放下咖啡杯，沉默了几秒。

等离子体辅助CVD——PECVD——不是什么新技术，早十几年就有人用在石墨烯生长上了。但PECVD的问题是，等离子体虽然能帮助碳源在低温下裂解，但同时会产生离子轰击，破坏石墨烯的晶格结构，导致缺陷率飙升。

学术界的主流观点是：PECVD不适合做高质量单层石墨烯。

“你想挑战主流观点？”林晚晴问。

“不是挑战，是绕过。”沈默打开电脑上的一个文档，转过来给她看，“你看这个——脉冲偏压等离子体。不是连续轰击，而是纳秒级的脉冲。在碳原子到达衬底表面的瞬间产生等离子体辅助裂解，然后马上关掉，留给碳原子足够的时间迁移和成核。”

林晚晴凑过来看屏幕，眉头微蹙。

文档上画了一个示意图：CVD腔体内部，衬底、电极、气流方向、等离子体脉冲时序，标注得清清楚楚。

“这是你画的？”

“昨晚画的。”