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第178章快闪记忆体良品率攻坚战（第2页）

之前良率上不去，很大一部分原因，就是设计和製造环节没有完全打通。

“王总，太感谢了！我正想找你帮忙呢！”

李建明连忙起身，把测试报告递了过去：

“我们调整了无数次光刻参数。

可晶圆边缘的坏块率始终降不下来。

良率死活冲不破82%。”

王明德接过报告，和身边的工艺总工程师一起，仔仔细细地看了一遍。

又翻了翻晶圆生產的全流程数据，很快就发现了问题所在。

“李总，你看这里。”王明德指著报表上的蚀刻工序参数：

“你们为了优化浮柵的电荷保持能力，把湿法蚀刻的时间延长了3秒，对吧？”

“对。”李建明立刻点头：

“延长蚀刻时间，浮柵的形貌更规整。

电荷保持能力更好，晶片的稳定性也能提升。”

“问题就出在这里。”王明德语气肯定：

“湿法蚀刻时间延长3秒，晶圆中心区域的蚀刻效果刚好达標。

可晶圆边缘区域，蚀刻液的流速更快。

蚀刻深度就超標了。

直接导致边缘区域的浮柵结构损坏，坏块率飆升。

这就是为什么你们的良率始终卡在80%。

因为每一片晶圆，边缘区域的20%，几乎都是坏的。”

一句话，点醒了梦中人。

李建明猛地拍了一下自己的额头，脸上露出了恍然大悟的神情。

他一直盯著晶片设计和光刻环节。

却忽略了蚀刻工艺的细微参数变化，对整片晶圆的均匀性影响。

“那我们立刻调整蚀刻时间，把参数改回来！”张诚立刻说道。

“別急。”王明德摆了摆手：

“改回原来的参数，蚀刻均匀性是好了，可浮柵的电荷保持能力就下降了。

晶片的使用寿命会受影响。

我们的方案是，调整蚀刻机的喷淋参数，降低晶圆边缘区域的蚀刻液流速。

同时把蚀刻时间拆成两段。